存储芯片：四维利好持续催化，板块反转时点有望提前

     从供给端看，此前三星/海力士/美光/西部数据/铠侠等国际龙头均宣布减少产能与资本开支，其中美光在6月29日宣布继续减产30%，持续至24年，竞争格局持续优化。

同时，由于未通过我国网络安全审查，美光预计其占比25%的中国区营收中，约有一半的用户受到“审查”事件影响，对应影响低两位数百分比的营收，利好国产替代。
从需求端看，目前消费电子、工业、汽车、服务器等领域存储需求筑底已久。我们看好AIGC发展带来服务器存储需求的快速提升，美光预计Al服务器的DRAM/NAND需求量将是普通服务器的8/3倍。

此外，DDR5渗透持续，其整体渗透率有望在24年中期达到50%。
从价格端看，根据CFM闪存市场数据，现货市场部分存储产品价格跌幅已经普遍收窄，部分产品表现平稳。TrendForce集邦咨询预测由于整体DRAM供给逐季减少，加上季节性需求支撑，供应商库存压力减小，第三季DRAM均价跌幅将会收敛至0~5%。
从库存端看，华邦电表示近来接到较多客户急单，部分客户库存见底；而南亚科亦表示，受益于TVSoC库存回补需求，Q2稼动率有望自70%升至80%。我们认为行业有望在23H2同步完成库存的去化与业绩的修复。
投资机会：
1、东芯股份（SLC NAND国内龙头，1x nm NAND完成流片；NOR快速拓展中）
2、芯片端：兆易创新、普冉股份、北京君正、恒烁股份等
3、模组端建议关注：江波龙、德明利、朗科科技
4、DDR5内存接口芯片建议关注：澜起科技、聚辰股份
风险提示：需求、技术迭代、竞争风险。
来源：德邦证券