存储芯片又传利好！已有客户接受三成涨价幅度

     摩根士丹利在最新报告中指出，由于NAND价格已触底，闪存厂商群联目前已看到来自大陆的模组与智能手机客户需求增强，部分客户甚至已接受了30%至35%的价格上涨。
此外，知名分析师分析师郭明錤日前发文称，紧跟三星8月的涨价步伐，美光9月起已开始着手调涨NAND Flash晶圆合约价，涨幅在10%左右。其认为，此举将有助于改善美光下半年获利。

郭明錤补充，DRAM方面，美光有望最快自2023年Q4-2024年Q1起受益于三项趋势：英特尔新平台Meteor Lake推动DDR5渗透率加速增长，AI服务器强劲需求推升HBM出货，品牌与处理器厂在设备上推广大模型、有利于DDR/LPDDR规格升级。
在此之前，三星已下令暂停第六代V-NAND成熟型制程产品报价，低于1.6美元者全面停止出货。已有两大厂商私下证实，并表示“先前该产品1.45-1.48的美元低价位，未来不会再出现了”。
市场研究机构TrendForce日前报告也指出，近期NAND Flash现货市场颗粒报价受到晶圆合约价成功拉涨消息带动，部分品项出现较积极询价需求。
8月下旬NAND Flash原厂进一步与部分中国指标模组厂议定新一笔晶圆订单，并成功拉抬512Gb晶圆合约价，涨幅约10%，其他原厂亦跟进将同级产品价格提升，显现原厂不愿再低价成交，从而带动晶圆现货市场近期出现短期涨势。
由于NAND Flash晶圆涨价、带来成本提升压力，模组厂近期也纷纷释出调涨终端产品的意向，主要体现在SSD产品方面，金士顿、Phison等模组厂近期亦回归官方价格来进行交易，不再开放客户另议以低价成交。
金士顿还表示，由于产品价格便宜，从8月起拒绝客户降价，并会重建部分NAND库存。
▌一线存储厂相继减产 NAND Flash调整周期尾声将至

存储行业寒风呼啸已久，推进库存去化、供需平衡，都离不开供应商对产能的控制。三星、SK海力士、美光均计划减产NAND Flash。
其中，三星已制定生产计划，目标年底NAND库存正常化（6-8周水平）。今年年初，三星NAND库存水位超过20周，最高一度飙升至28周，但最近已降至18周。

据悉，三星下半年的晶圆投入量将较上半年减少10%，目前公司减产的主要目标是128层第6代V-NAND（V6），该产品库存较多。
TrendForce数据则显示，三星最初减产幅度为25%，第四季可能扩大到35%，代表目前市况供过于求压力仍大。原厂若不积极应对，即便下半年需求会温和复苏，NAND Flash相关产品价格要落底反弹也有困难。

因此，目前一线NAND Flash原厂均积极减产控制供给，力求止跌，避免价格持续破底。
展望2024年，TrendForce预期2024年存储器原厂对于DRAM与NAND Flash的减产策略仍将延续，尤其以亏损严重的NAND Flash更为明确。

预估2024上半年，消费电子市场需求能见度仍不明朗，通用型服务器的资本支出仍受到AI服务器排挤、显得相对需求疲弱，有鉴于2023年基期已低，加上部分存储器产品价格已来到相对低点，预估DRAM及NAND Flash需求位元同比增幅分别有13.0%及16.0%。
方正证券指出，供给端加速收缩、限制低价供应，进一步巩固NAND Flash晶圆价格上涨趋势。分析师预计，随着2023年下半年国内手机品牌陆续推出新品、PC需求复苏以及iPhone15即将发布，原厂出货压力将逐步缓解，NAND Flash调整周期尾声将至。

来源：科创板日报