存储芯片：周期上行 AI创新 国产化，三重逻辑共振！

10月存储合约价首次全线上涨
10月合约价，DRAM中DDR2涨幅2-3%，DDR3涨幅3-5%，DDR4涨幅6-15%，DDR5涨幅11-12%。NAND中MLC涨幅1-2%，SLC全线止跌。
此外现货价NAND wafer中512Gb TLC自9月中旬已上涨+42%，本周较上周+13%。
存力为AI创新算力基石
无论是B端大模型训练算力提升，还是C端手机、笔电等AI+升级，均需存力升级支持。
国产化持续催化
半导体国产化除逻辑产品外，存储是兵家必争之地，涉及信息安全，国产化长期趋势不可逆。
机会方向：
弹性模组端：德明利、香农芯创、江波龙、佰维存储、万润科技、朗科科技等；
上游设计端：兆易创新、东芯股份、普冉股份等；
制造配套端：深科技、华海诚科、雅克科技等。
 风险提示：下游需求不及预期等。
来源：摘自中泰证券研报(12)

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