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库存告急! 高带宽内存概念将迎新机遇

摘要:在市场需求旺盛和技术不断进步的推动下,HBM正逐渐成为存储市场的新星和引领AI时代的新潮流。国内芯片制造商们布局竞争,可以关注其投资机会。

【事件】据台湾经济日报今日报道,业界传出,全球头部DRAM供货商三星、SK海力士全力冲刺高带宽内存(HBM)与主流DDR5规格内存,下半年起将停止供应DDR3利基型DRAM。

另外,SK海力士CEO宣布公司2024年和2025年高带宽内存的产能均已售罄,并预测未来专用于人工智能的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会激增。

 

人工智能关键组件

 

众所周知,高带宽内存是为了解决传统DDR内存的带宽不足以应对高性能计算需求而开发。通过堆叠内存芯片和通过硅通孔(TSV)连接这些芯片,从而显著提高内存带宽。

 

高带宽内存作为高性能计算、人工智能数据中心等前沿领域不可或缺的关键组件。随着人工智能热度高涨,其市场需求正以前所未有的速度飙升。

 

市场价格飙升

 

这无疑向市场释放了一个强烈的信号——HBM芯片正面临前所未有的供不应求局面,这也导致市场价格直线飙升。

 

去年人工智能的爆火,带动高带宽内存价格“逆势暴涨”。到2024年,高带宽内存依旧“状态火热”,带动产业链公司股价“水涨船高”。

 

据市场调查机构Yole数据,高带宽内存今年以来平均售价是普通动态随机存取存储器(DRAM)的5倍。

 

据Mordor Intelligence预测,从2024年到2029年,高带宽内存市场规模预计将从约25.2亿美元激增至79.5亿美元,预测期内复合年增长率高达25.86%。

 

巨头开启新一轮技术竞赛

 

前国际大厂里只有SK海力士、美光科技和三星电子有能力生产与H100这类AI计算系统搭配的HBM芯片。

 

美光科技今年宣布开始量产HBM3E芯片。美光科技也在2024财年第二财季财报中披露,该公司2024年的高带宽内存产能已经售罄,2025年的绝大多数产能已经分配完毕。

 

今年2月,三星发布了业界容量最大的36GB HBM3E 12H芯片。作为全球最大存储芯片制造商,三星又开始发力。5月21三星芯片部门“换将”任命Young Hyun Jun为半导体部门的新负责人,希望能迎头赶上竞争对手。

 

日前,SK海力士已宣布研发HBM4,并与台积电就HBM4研发和下一代封装技术合作签署谅解备忘录,计划从2026年开始批量生产HBM第六代产品——HBM4。

数据来源:CFM闪存市场

 

投资机会巨大

 

在市场需求旺盛和技术不断进步的推动下,HBM正逐渐成为存储市场的新星和引领AI时代的新潮流。将迎来更加广阔的发展空间和投资机会。

 

为了抓住人工智能热潮,国内芯片制造商们也正如火如荼的布局竞争。投资者也开始关注相关概念股的投资机会。

 

证券时报数据宝统计,A股市场涉及高带宽内存概念的个股不到20只,你觉得哪家是潜力股?

 

 

文章内容仅供参考,不构成投资建议!23

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