光刻胶，国产替代正当时

       很显然，前几天半导体业内流传的“日本某光刻胶大厂已执行美国实体清单的限制要求，对中国大陆某存储晶圆厂断供KrF光刻胶”并非空穴来风，美国联合日本、韩国、荷兰组成的chip4集团正在对我国半导体产业进行逐步封锁，由南向北拉起一道阻碍我国半导体发展的铁幕。
在现代化社会中，半导体的重要性不言而喻，而先进制程的研发推进，则决定着我国未来在新能源车、5G等领域的高度。所以，国产替代迫在眉睫。今天先来研究一下半导体材料中光刻胶的国产替代机会。
要想了解光刻胶，先从了解光刻工艺说起。

光刻是利用光学、化学、物理方法，将设计好的电路图转移到晶圆等表面，是半导体制造中的核心环节，成本约为整个硅片制造的三分之一，耗时约占整个硅片工艺的40%-60%。

而光刻胶是对光敏感的混合液体，是光刻工艺中最核心的材料。
在这里值得注意的是，光刻胶产品众多，即使同为 KrF 胶也会根据使用情景或工艺细分为上百个料号，即使是实现KrF胶量产的北京科华、徐州博康和晶瑞电材等也仅能实现少数种类的生产。
光刻胶主要由树脂、光敏材料、溶剂、单体和其他助剂组成。光刻胶树脂和光引发剂是影响光刻胶性能最重要的成分。
1、光刻胶树脂。
光刻胶树脂是光刻胶的核心组成部分，主要是用于把光刻胶中不同材料聚在一起的粘合剂，给予光刻胶机械和化学性质。光刻胶树脂在光刻胶原材料成本中占比约50%。
不同波长的光刻胶所使用的光刻胶树脂也有所不同。
PS：单体是树脂的合成材料。
电子级光刻胶树脂主要由日本垄断，国内仅有少数厂商可提供低端替代，在高端产品领域（KrF及以上）尚未有量产实力。
2、光敏材料
主要包括光引发剂和光致产酸剂。光引发剂，又称为光敏剂或者光固化剂，会对光辐射的能量发生反应，多用于G线/I线光刻胶。光致产酸剂（PAG），多用于KrF、ArF和EUV光刻胶中，PAG成本占光刻胶总成本的10%-20%。

来源：爱股票