【热点跟踪】28纳米的自豪，“中国芯”迈出一大步！

​

光刻机是微电子工艺制造的核心设备，也是半导体产业的重要仪器。目前，全球光刻机市场由荷兰ASML公司垄断，而其他国家和地区几乎无法生产此设备，这也是国内半导体制造企业一直被制约的核心问题。然而，这次中国企业成功搬入光刻机，显然为国内半导体产业带来了前所未有的机遇，也引起了各方的高度关注。

据媒体报道，上海微电子研制的可用于65nm制程的ArF干式光刻机已经交付国内半导体企业使用。值得一提的是，上海微电子研制的光刻机，在性能方面已经超越了日本佳能所生产的光刻机，可以通过多重曝光技术制造出更为先进制程工艺的芯片。国产光刻机进入中企生产线，标志着“中国芯”迈出了打破老美芯片封锁的第一步！

中国科技研发实力，要远超过西方国家的推测和估计，1964年中国科学院研制出65型接触式光刻机；1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩膜工艺；清华大学研制第四代分部式投影光刻机，并在1980年获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。而那时，光刻机巨头ASML还没诞生。

然而，中国在1980年代放弃电子工业，导致20年技术积累全部付诸东流。1994年武汉无线电元件三厂破产改制，卖副食品去了。1965年中国科学院研制出65型接触式光刻机。1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺。1972年，武汉无线电元件三厂编写《光刻掩模版的制造》。

1977年，我国最早的光刻机GK-3型半自动光刻机诞生，这是一台接触式光刻机。1978年，1445所在GK-3的基础上开发了GK-4，但还是没有摆脱接触式光刻机。1980年，清华大学研制第四代分步式投影光刻机获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。

中国卧薪尝胆20年，国产光刻机终于崛起。高端芯片量产初步完成，美国半导体封锁战略失败了，美国妄图垄断高端半导体产的梦想也破灭了，胜利的天平终于向我们倾斜，这是一个值得全体中国人骄傲的时刻，一个应该被永远铭记的时刻，突破了高端光刻机限制，量产高端芯片，意味着中国向高端制造迈进从此没有阻挡，中国成为超级大国也将指日可待!

我国研制光刻机已经有20年的历史，这期间我们碰到了难以想象的困难，比如西方的围追堵截，每当我们光刻机稍微有点突破，西方就开始降价销售同档次的光刻机，导致我们即使造出了光刻机也缺乏订单，这让研发企业生存困难，国家不得不出手支持他们，就这样扶持了整整20年。

现在，上海微电子已经突破28NM制程精度的光刻机，核心技术已经完成，设计建造都完成了检测，虽然精度制程还不能和最先进的光刻机相比，但是已经有了明显的突破。

上海为微电子对于建造28纳米光刻机的成果发布在即，核心技术已经取得成功，看来我国在半导体专业机械制造方面有了突破，那么14NM芯片或将迎来量产，如果快的话，在今年就能和市场见面。

媒体都进行了报道上海微电子的光刻机技术已经通过了专业的测试和相关参数的监测，符合专业的标准和要求，这说明我国光刻机技术发展的速度已经超过了预期进展，这对于推动国内芯片的产业继续蓬勃发展，有着至关重要的意义。

在现在的高科技产业背景下，芯片领域是最先进的集合多个学科，代表综合科研水平。不仅对经济民生和多个领域都有影响，芯片还应用到军工方面，在精确制导等功能产生巨大作用。

芯片的先进程度对于一个国家的科技进步非常重要，我国的芯片领域受到美国等西方国家的打压和封锁，美国对我国实施围剿和垄断，采取卑劣的手段想要遏制我国的发展。目的就是想要让我国在高速发展时期，因为受到科技阻碍，被世界最先进的水平甩在后面，这样就有拿捏和控制我国的筹码。

现在中国的芯片产业终于打破了西方对于光刻机的垄断，自主研发成功了28纳米制程精度的设备，这对于西方国家来说，感到非常不可思议，毕竟中国对于光刻机领域的研发和起步都是较西方更晚，能够在种种不利的技术封锁环境下，走出一条自主研发的创新之路，这本身就需要克服太多困难，而中国的6G技术，正在落实中的卫星网络技术，和无人机蜂群等，这些都离不开芯片技术的支持。

现在我国的光刻机从原来的90纳米制程精度，飞跃发展，突破了28纳米制程精度，很快14纳米芯片的量产工作也将会正式启动，这对于我国的芯片产业发展，是非常重要的进步。